[发明专利]铜层处理无效
| 申请号： | 200980134552.9 | 申请日： | 2009-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102144282A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 尼尔·R·吕格尔 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括用于使用硫等离子体处理铜且尤其铜层处理的装置、方法和系统。一个或一个以上实施例可包括形成铜硫化合物的方法，其是通过使铜与包括硫的等离子体气体反应并用水移除所述铜硫化合物的至少一部分来实施。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 | ||
【主权项】：
一种处理铜的方法，其包含：通过使铜与包括硫的等离子体气体反应形成铜硫化合物；和用水移除所述铜硫化合物的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
