[发明专利]氮化物半导体发光器件和半导体发光器件有效
| 申请号： | 200980134707.9 | 申请日： | 2009-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN102144342A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | 神川刚;麦华路巴武吕;伊藤茂稔 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在一种氮化物半导体发光器件中，在n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上依次地堆叠氮化物半导体层(103，303，603，1203)、p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)和有源层(105，305，605，1205)。在一种氮化物半导体发光器件中，在衬底(1401，1501，1601，1701)上依次地堆叠第一底层(1402，1502，1602，1702)、第二底层(1404，1504，1604，1704)、有源层(1405，1505，1605，1705)和厚度不大于40nm的上层(1406，1506，1606，1706)，针对n型的第二电极(1408，1508，1608，1708)与上层(1406，1506，1606，1706)相接触的界面包含金属，所述金属的表面等离激元能够由从有源层(1405，1505，1605，1705)产生的光来激励。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光器件，包括：n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)；氮化物半导体层(103，303，603，1203)，设置在所述n型氮化物半导体层(102，201，302，601，1201)上；p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)，设置在所述氮化物半导体层(103，303，603，1203)上；以及有源层(105，305，605，1205)，设置在所述p型氮化物半导体层(104，304，604，1204)上。
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