[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件无效
申请号: | 200980134880.9 | 申请日: | 2009-08-06 |
公开(公告)号: | CN102217419A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 大泽信晴;井上英子;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H05B33/12 | 分类号: | H05B33/12;C09K11/06;H01L51/50 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杨勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供具有高的发光效率、长的寿命和降低的驱动电压的发光元件。提供包括阳极、阴极以及阳极和阴极之间的多个发光层的发光元件,所述多个发光层彼此接触以形成叠置结构,其中形成多个发光层,该多个发光层中与阳极最接近的是第一发光层,该多个发光层中与阴极最接近的是第二发光层,第一发光层和第二发光层各自包括主体材料、空穴传输材料和发光材料,并且第一发光层中的空穴传输材料的浓度高于第二发光层中的空穴传输材料的浓度。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 器件 电子器件 | ||
【主权项】:
发光元件,其包含:阳极;阴极;以及该阳极和该阴极之间的多个发光层,所述多个发光层彼此接触以形成叠置结构,其中该多个发光层包含第一发光层和第二发光层,其中该第一发光层是该多个发光层中与阳极最接近的,其中该第二发光层是该多个发光层中与阴极最接近的,其中该第一发光层包括主体材料、空穴传输材料以及发光材料,并且其中该第二发光层包括主体材料、比该第一发光层中的浓度低的空穴传输材料,以及发光材料。
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