[发明专利]原位腔室处理与沉积工艺

摘要

本发明的实施例提供一种用于在例如原子层沉积(ALD)或化学气相沉积(CVD)的气相沉积工艺期间，处理工艺腔室的内表面和在其上沉积材料的方法。在一实施例中，于预处理工艺期间，该工艺腔室的内表面和该基板可暴露至试剂，例如，氢化配体化合物。该氢化配体化合物可为与自后续沉积工艺期间使用的金属有机前驱物所形成的自由配体相同的配体。该自由配体通常在沉积工艺期间通过氢化或热解来形成。在一范例中，于实施气相沉积工艺前，该工艺腔室和基板在预处理工艺期间暴露至烷基胺化合物(例如，二甲胺)；该气相沉积工艺使用金属有机化学前驱物，其具有烷胺配体，例如，五(二甲胺)钽(PDMAT)。

主权项

一种用于处理腔室与在基板表面上沉积材料的方法，其包含以下步骤：在预处理工艺期间，将工艺腔室的内表面和该工艺腔室内部的基板暴露至处理气体，其包含烷基胺化合物；及在原子层沉积工艺期间，在该基板上沉积材料时，将该基板循序暴露至烷胺金属前驱物气体和至少一第二前驱物气体。