[发明专利]III族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200980135398.7 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102217100A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 朴恩铉;全水根;林在球 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 丁香兰;庞东成 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：n型氮化物半导体层、掺有p型掺杂剂的p型氮化物半导体层、位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间并包括通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层的有源层、和设置在所述量子阱层和所述p型氮化物半导体层之间并与这两层接触的扩散阻挡层，该层的表面形成为使得与所述p型氮化物半导体层的界面平滑并防止所述p型掺杂剂扩散到所述量子阱层中。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包含：n型氮化物半导体层；掺有p型掺杂剂的p型氮化物半导体层；有源层，所述有源层位于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间，并包含通过电子和空穴的复合而发光的量子阱层；和扩散阻挡层，所述扩散阻挡层设置在所述量子阱层和所述p型氮化物半导体层之间并与这两层接触，所述扩散阻挡层的表面形成为使得与所述p型氮化物半导体层的界面平滑并防止所述p型掺杂剂扩散到所述量子阱层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾比维利股份有限公司，未经艾比维利股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980135398.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
