[发明专利]包含有用于减小热应力的缓冲层的静电吸盘有效
| 申请号： | 200980135897.6 | 申请日： | 2009-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN102150233A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 崔镇植;崔正德 | 申请（专利权）人： | 高美科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司 31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在静电吸盘(ESC)中包括用于吸收热应力的缓冲层，所述静电吸盘包括具有穿透孔的主体以及设置在所述主体上的基板。所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被暴露出来的电极。所述ESC包括端子单元，所述端子单元具有通过所述穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极接触的端子；以及缓冲层，其设置在所述主体和所述基板中的至少一个与所述端子之间的边界区域，并吸收所述主体的热应力。因此，ESC的热应力被吸收到所述缓冲层，从而充分减少了由热应力造成的裂纹由此增加了ESC的耐久性寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 用于 减小 应力 缓冲 静电 吸盘 | ||
【主权项】：
一种静电吸盘，包括：具有穿透孔的主体；设置在所述主体上的基板，在该基板上通过静电力紧固有衬底，所述基板具有与所述主体的穿透孔对应的插入部分以及被定位于所述基板之内并通过所述插入部分被局部暴露出来的电极；端子单元，其具有通过所述主体的穿透孔和所述基板的插入部分与所述电极形成接触的端子；以及缓冲层，其设置在所述主体和所述基板中的至少一个与所述端子之间的边界区域，并吸收所述主体的热应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
