[发明专利]侧壁形成工艺

摘要

提供在图案化的光刻胶掩模下方的蚀刻层。实施多个侧壁形成工艺。每一个侧壁形成工艺包括通过实施多个周期性沉积在所述图案化的光刻胶掩模上沉积保护层。每个周期性沉积包括至少一在所述图案化的光刻胶掩模表面上沉积沉积层的沉积阶段，和在所述沉积层中形成垂直表面的轮廓成型阶段。每个侧壁形成工艺还包括用于相对于所述保护层的垂直表面选择性蚀刻所述保护层的水平表面的贯穿蚀刻。然后蚀刻所述蚀刻层，以形成具有临界尺寸的特征，所述临界尺寸小于所述图案化的光刻胶掩模内的特征的临界尺寸。

主权项

一种用于在图案化的具有光刻胶特征的光刻胶掩模下的蚀刻层中形成特征的方法，所述光刻胶特征具有第一临界尺寸，所述方法包括：实施多个侧壁形成工艺的循环A，所述多个侧壁形成工艺的循环A中的每一个包括通过实施多个周期性沉积循环B在所述图案化的光刻胶掩模上沉积保护层和相对于沉积层的垂直表面选择性蚀刻保护层的水平表面，其中所述周期性沉积循环B中的每一个包括：沉积阶段，用于在所述图案化的光刻胶掩模的表面上沉积沉积层；和轮廓成型阶段，包括在所述沉积层中形成垂直表面；以及蚀刻所述蚀刻层以在其中形成特征，所述蚀刻层中的特征具有比第一临界尺寸小的第二临界尺寸。