[发明专利]氧化物烧结体及溅射靶材有效
申请号: | 200980136121.6 | 申请日: | 2009-09-14 |
公开(公告)号: | CN102159517A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 宇都野太;井上一吉;川岛浩和;笠见雅司;矢野公规;寺井恒太 | 申请(专利权)人: | 出光兴产株式会社 |
主分类号: | C04B35/00 | 分类号: | C04B35/00;C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种氧化物烧结体,其特征在于,镓固溶于氧化铟;原子比Ga/(Ga+In)为0.001~0.12;铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子%以上;具有In2O3的方铁锰矿结构。 | ||
搜索关键词: | 氧化物 烧结 溅射 | ||
【主权项】:
一种氧化物烧结体,其特征在于,镓固溶于氧化铟,原子比Ga/(Ga+In)为0.001~0.12,铟和镓相对于总金属原子的含有率为80原子%以上,具有In2O3的方铁锰矿结构。
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