[发明专利]非易失性存储器阵列的最后字线的数据保持的改进

摘要

在文公开了用于操作非易失性存储器的技术。该技术补偿由不同字线上的非易失性存储元件受到的浮置栅极耦合作用的差异。执行对非易失性存储元件组的擦除(1102)。非易失性存储元件的集合用于存储数据，且非易失性存储元件中的至少一个是未用于存储数据的哑元。哑元是数据非易失性存储元件之一的邻居。在擦除之后，对数据非易失性存储元件进行编程(1104)。然后，将编程电压施加到哑元非易失性存储元件以增加哑元的阈值电压，以对邻居非易失性存储元件产生浮置栅极耦合作用，以补偿由该邻居在编程期间受到的较小浮置栅极耦合作用(1106)。

主权项

一种用于操作非易失性存储设备的方法，该方法包括：执行多个非易失性存储元件的擦除，所述多个非易失性存储元件的集合包括数据非易失性存储元件和哑元非易失性存储元件，所述哑元非易失性存储元件是所述数据非易失性存储元件之一的邻居(1102)；对所述数据非易失性存储元件进行编程，所述数据非易失性存储元件中的至少一部分由于因所述数据非易失性存储元件中的另一个的后续编程而产生的耦合作用而出现阈值电压的明显增加(1104)；以及在对所述数据非易失性存储元件进行编程之后，将编程电压施加至所述哑元非易失性存储元件，所述编程电压将所述哑元非易失性存储元件的阈值电压增加到目标电平，该目标电平补偿由邻居非易失性存储元件在其它数据非易失性存储元件的编程期间所受到的较少耦合作用(1106)。