[发明专利]用于形成金属硅化物的方法及设备无效
| 申请号： | 200980136592.7 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN102160160A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·S·奥尔森 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文所述的实施方式包括使用无扩散退火处理以形成金属硅化物层的方法。在一实施例中，提供一种形成金属硅化物材料于衬底上的方法。该方法包括沉积金属材料于衬底的含硅表面上方，沉积金属氮化物材料于该金属材料上方，沉积金属接触材料于该金属氮化物材料上方，以及将该衬底暴露于无扩散退火处理中以形成金属硅化物材料。无扩散退火处理的短暂时间范围减少氮扩散进入含硅界面形成氮化硅的时间，因而将界面阻抗最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 金属硅 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种形成金属硅化物材料于衬底上的方法，包括：沉积金属材料于衬底的含硅表面上方；沉积金属氮化物材料于该金属材料上方；以及将该衬底暴露于无扩散退火处理，以形成金属硅化物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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