[发明专利]管理基板退火的热预算有效
申请号: | 200980136613.5 | 申请日: | 2009-09-03 |
公开(公告)号: | CN102160157A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 斯蒂芬·莫法特;阿布拉什·J·马约尔;森德·拉马默蒂;约瑟夫·拉内什;阿伦·亨特 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种用于处理一基板的方法及设备。将该基板定位于一热处理腔室中的一支撑件上。将电磁辐射导向该基板以退火该基板的一部分。将其它电磁辐射导向该基板以预热该基板的一部分。该预热降低该预热区域与该退火区域之间的边界处的热应力。按特定实施方式的需要,预期任何数量的退火区域及预热区域,其具有可变的形状及温度分布。可使用诸如激光、热灯、白光灯或闪光灯的任何适当的电磁辐射源。 | ||
搜索关键词: | 管理 退火 预算 | ||
【主权项】:
一种处理一基板的方法,其包含:将该基板定位在一可移动基板支撑件上;将一第一量的加热能量导向一下伏于该基板的一部分的第一固定位置;将一第二量的加热能量导向一下伏于该基板的一部分的第二固定位置;移动该基板支撑件以藉由将该基板的各所选区域连续定位于该第一固定位置及随后该第二固定位置处来处理该基板的所选区域;及将该基板的一部分维持在低于500℃的温度下。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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