[发明专利]硅氧化膜的形成方法和装置有效
| 申请号： | 200980137392.3 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102165568A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 壁义郎;中村秀雄;北川淳一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/31;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 硅氧化膜形成方法，在露出被处理体(W)的表面的硅上形成硅氧化膜。该方法包括：将被处理体载置到处理容器(1)内的载置台(2)上的工序；对处理容器内供给含氧的处理气体，生成处理气体的等离子体的工序；对载置台供给高频电力，对被处理体施加偏压的工序；和使等离子体与施加了偏压的被处理体作用来将硅氧化，形成硅氧化膜的工序。处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内。在形成硅氧化膜的工序中，处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内。高频电力的输出，设定在对于被处理体的面积为0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种硅氧化膜形成方法，在露出于被处理体的表面的硅上形成硅氧化膜，该硅氧化膜形成方法的特征在于，包括：将所述被处理体载置到处理容器内的载置台上的工序；对所述处理容器内供给含氧的处理气体，生成所述处理气体的等离子体的工序；对所述载置台供给高频电力，对所述被处理体施加偏压的工序；和使所述等离子体与施加了所述偏压的所述被处理体作用来将所述硅氧化，形成所述硅氧化膜的工序，其中所述处理气体中的氧的比例设定在0.1％以上10％以下的范围内，在形成所述硅氧化膜的工序中，所述处理容器内的压力设定在1.3Pa以上266.6Pa以下的范围内，所述高频电力的输出，设定在相对于所述被处理体的面积为0.14W/cm2以上2.13W/cm2以下的范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
