[发明专利]复合衬底上生长的半导体发光器件有效
| 申请号： | 200980137469.7 | 申请日： | 2009-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102165609A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | M.B.麦克劳林;M.R.拉姆斯 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/08;H01L33/62;H01L27/15;H01L33/12;H01L33/38;H01L33/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 初媛媛;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在复合衬底上生长多个III族氮化物半导体结构，每个III族氮化物半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层。该复合衬底包括通过结合层连接到基质的多个III族氮化物材料的岛。所述多个III族氮化物半导体结构在这些III族氮化物岛上生长。该复合衬底可以形成为使得每个III族氮化物材料的岛至少部分地弛豫。结果，每个半导体结构的发光层具有大于3.19埃的a晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 生长 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在衬底上生长多个III族氮化物半导体结构，其中：每个半导体结构包括设置在n型区与p型区之间的发光层；该衬底包括基质、通过沟槽分开的多个III族氮化物材料的岛以及设置在基质与所述多个III族氮化物材料的岛之间的结合层；并且每个半导体结构的发光层具有大于3.19埃的a晶格常数；以及形成电连接所述III族氮化物半导体结构中的两个的导电材料。
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