[发明专利]制造用于亚毫米级导电栅格的具有亚毫米级开口的掩模的方法、具有亚毫米级开口的掩模和亚毫米级导电栅格有效
申请号: | 200980137638.7 | 申请日: | 2009-09-24 |
公开(公告)号: | CN102164869A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | G·扎格杜;B·恩希姆;E·瓦朗坦;S·恰卡罗夫 | 申请(专利权)人: | 法国圣-戈班玻璃公司 |
主分类号: | C03C17/00 | 分类号: | C03C17/00;C03C17/06;C03C17/23;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 过晓东;谭邦会 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种制造具有亚毫米级开口(10)的掩模(1)的方法,其中:对于遮蔽层,将稳定并分散在第一溶剂中的胶体纳米颗粒的溶液沉积,该颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg;在低于所述温度Tg的温度下进行所述遮蔽层的干燥,直到获得具有亚毫米级开口的二维网络的掩模,其具有基本上直的掩蔽区域边缘,在被称为网络掩蔽区域的区域中;通过机械和/或光学去除至少一个网络掩模区域的外部,在所述表面上形成无遮蔽的区域。本发明还涉及所述网络掩模(1),和由此获得的具有导电固体区域的格栅。 | ||
搜索关键词: | 制造 用于 毫米 导电 栅格 具有 开口 方法 | ||
【主权项】:
一种制备具有亚毫米级开口(10)、尤其是具有微米级开口的掩模(1)的方法,在基底(2)的主表面上,通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、并使其干燥来形成亚毫米掩模,其特征在于,‑对于所述遮蔽层,将稳定并分散在溶剂中的胶体纳米颗粒的溶液沉积,该纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg;‑在低于所述温度Tg的温度下进行所述遮蔽层的干燥,直到获得被称为网络掩模的具有亚毫米级开口的二维网络的掩模,其具有基本上直的掩模区域边缘,该掩模位于被称为网络掩模区域的区域之上;且特征在于,该方法包括通过机械和/或光学去除网络掩模区域的至少一个外部,在所述表面上形成无遮蔽的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于法国圣-戈班玻璃公司,未经法国圣-戈班玻璃公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980137638.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。