[发明专利]制造用于亚毫米级导电栅格的具有亚毫米级开口的掩模的方法、具有亚毫米级开口的掩模和亚毫米级导电栅格有效

专利信息
申请号: 200980137638.7 申请日: 2009-09-24
公开(公告)号: CN102164869A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: G·扎格杜;B·恩希姆;E·瓦朗坦;S·恰卡罗夫 申请(专利权)人: 法国圣-戈班玻璃公司
主分类号: C03C17/00 分类号: C03C17/00;C03C17/06;C03C17/23;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/10
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 过晓东;谭邦会
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种制造具有亚毫米级开口(10)的掩模(1)的方法,其中:对于遮蔽层,将稳定并分散在第一溶剂中的胶体纳米颗粒的溶液沉积,该颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg;在低于所述温度Tg的温度下进行所述遮蔽层的干燥,直到获得具有亚毫米级开口的二维网络的掩模,其具有基本上直的掩蔽区域边缘,在被称为网络掩蔽区域的区域中;通过机械和/或光学去除至少一个网络掩模区域的外部,在所述表面上形成无遮蔽的区域。本发明还涉及所述网络掩模(1),和由此获得的具有导电固体区域的格栅。
搜索关键词: 制造 用于 毫米 导电 栅格 具有 开口 方法
【主权项】:
一种制备具有亚毫米级开口(10)、尤其是具有微米级开口的掩模(1)的方法,在基底(2)的主表面上,通过沉积给定溶液的液体遮蔽层、并使其干燥来形成亚毫米掩模,其特征在于,‑对于所述遮蔽层,将稳定并分散在溶剂中的胶体纳米颗粒的溶液沉积,该纳米颗粒具有给定的玻璃化转变温度Tg;‑在低于所述温度Tg的温度下进行所述遮蔽层的干燥,直到获得被称为网络掩模的具有亚毫米级开口的二维网络的掩模,其具有基本上直的掩模区域边缘,该掩模位于被称为网络掩模区域的区域之上;且特征在于,该方法包括通过机械和/或光学去除网络掩模区域的至少一个外部,在所述表面上形成无遮蔽的区域。
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