[发明专利]薄膜晶体管及薄膜晶体管中间体有效
| 申请号： | 200980137645.7 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102165596A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 森晓;小见山昌三 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社;株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/28;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管的一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-钙浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu层，含氧-钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％、氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。本发明的薄膜晶体管的另一种方式为，漏电极膜及源电极膜具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与阻挡膜相接触地形成的含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层、以及在其上形成的Cu合金层，含氧-Ca(Al，Sn，Sb)浓缩层铜合金基底层为具有浓缩层的铜合金基底层，浓缩层含有Ca：2-30摩尔％；从Al、Sn及Sb中选择的1种或2种以上共计1-10摩尔％；氧：20-50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 中间体 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，具有玻璃基板；在上述玻璃基板上形成的栅电极膜；在上述玻璃基板及栅电极膜上形成的氮化硅膜；在上述氮化硅膜上形成的n‑非晶质Si半导体膜；在上述n‑非晶质Si半导体膜上形成的n+非晶质Si欧姆膜；在上述n+非晶质Si欧姆膜上形成的包括氧化硅膜的阻挡膜；在上述包括氧化硅膜的阻挡膜上形成的漏电极膜及源电极膜，上述漏电极膜及上述源电极膜至少具有复合铜合金膜，该复合铜合金膜包括与上述包括氧化硅膜的阻挡膜相接触地形成的含氧‑钙浓缩层铜合金基底层，以及在上述含氧‑钙浓缩层铜合金基底层上形成的Cu层，上述含氧‑钙浓缩层铜合金基底层具有浓缩层，上述浓缩层含有Ca：2‑30摩尔％、氧：20‑50摩尔％，作为残余部分，含有Cu及不可避免的杂质。
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