[发明专利]用于在微结构化部件之间制造间隔的导电连接的接触装置有效
| 申请号： | 200980137768.0 | 申请日： | 2009-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102164847A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | K·戈特弗里德;M·韦默;A·弗兰克;A·特劳特曼;A·法伊;S·克尼斯;J·弗罗梅尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的并且优选气密的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在晶片（1，4）之一上。该接触装置的特征在于，接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属-金属化合物的第一材料（33，36）来至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽的上边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 微结构 部件 之间 制造 间隔 导电 连接 接触 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在第一晶片（1）和第二晶片（4）之间建立间隔的、导电的连接的接触装置（3a，3b），其中接触装置（3a，3b）包括电连接接触部（30）、在连接接触部（30）上的钝化层（31）和设置在钝化层（31）上的介电的间隔层（32），并且其中接触装置（3a，3b）至少设置在所述晶片（1，4）之一上，其特征在于，所述接触装置（3a，3b）包括以能够形成金属‑金属化合物的第一材料（33，36）至少部分地填充的沟槽（34），其中所述沟槽（34）是从间隔层（32）穿过钝化层（31）直到连接接触部（30）的连续的沟槽，并且第一材料（33，36）在沟槽（34）中从连接接触部（30）设置直到沟槽（34）的上边缘。
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