[发明专利]制造涂有上层栅格的亚毫米导电栅格的方法以及涂有上层栅格的亚毫米导电栅格有效

专利信息
申请号: 200980137916.9 申请日: 2009-09-25
公开(公告)号: CN102164870A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: G·扎格杜;B·恩希姆;E·鲁瓦耶 申请(专利权)人: 法国圣-戈班玻璃公司
主分类号: C03C17/00 分类号: C03C17/00;C03C17/36;C03C17/40;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/10
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;夏青
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及通过如下方式在基板(2)上制造涂有上层栅格的亚毫米导电栅格(3):通过沉积稳定且散布于溶剂中的胶体聚合物纳米颗粒溶液来生产具有亚毫米开口的掩模(1),所述聚合物颗粒具有玻璃态转化温度Tg,并在低于Tg的温度干燥所述遮蔽层,直到获得具有直边缘的掩模(10),通过沉积被称为栅格材料的导电材料来形成导电栅格,在大于或等于0.8倍Tg的温度下利用栅格材料对所述遮蔽层进行热处理,从而在所述掩模区域的边缘和栅格的侧边缘(31)之间产生空间;在所述栅格上以及所述掩模区域(1)的边缘和栅格的侧边缘(31)之间的空间中沉积由所谓覆盖层材料的材料制成的被称为覆盖层的层;去除遮蔽层。本发明还涉及这样获得的栅格。
搜索关键词: 制造 上层 栅格 毫米 导电 方法 以及
【主权项】:
一种用于在基板(2)的主面上制造涂有上层栅格(4)的亚毫米导电栅格(3)的工艺,包括:‑在所述主面上产生被称为网络掩模的具有亚毫米开口的掩模(1),包括:‑通过稳定且散布于溶剂中的胶体聚合物纳米颗粒的溶液沉积掩模层,所述聚合物颗粒具有给定的玻璃态转化温度Tg;‑在低于所述温度Tg的温度对所述遮蔽层进行干燥,直到获得具有开口(10)的网络的掩模,所述开口(10)具有掩模区域的基本为直线的边缘;‑通过所述网络掩模形成所述导电栅格,包括沉积被称为栅格材料的至少一种导电材料,直到填充所述开口的深度的一小部分;‑在大于或等于0.8倍Tg的温度下利用栅格材料对所述遮蔽层进行热处理,导致所述掩模区域收缩,从而在所述掩模区域的边缘和所述栅格的侧边缘(31)之间产生空间;‑在所述栅格上以及所述掩模区域(1)的边缘和所述栅格的侧边缘(31)之间的空间中沉积由所谓覆盖层材料的材料制成的被称为覆盖层的层;‑去除所述遮蔽层,直到显露出涂有所述上层栅格(4)的所述导电栅格(3)。
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