[发明专利]高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶、该溅射靶的制造方法及高纯度铜或高纯度铜合金溅射膜有效
| 申请号： | 200980138226.5 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102165093A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 福岛笃志;新藤裕一朗;岛本晋 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其纯度为6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自为1ppm以下，其特征在于，粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个/g以下。本发明的课题在于，使用减少了有害的P、S、C、O类夹杂物的高纯度铜及高纯度铜合金作为原料，并抑制非金属夹杂物的存在形态，由此以良好的重现性减少使用高纯度铜靶进行溅射而形成的半导体器件布线的不合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 纯度 铜合金 溅射 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯度铜或高纯度铜合金溅射靶，其纯度为6N以上，且P、S、O、C各成分的含量各自为1ppm以下，其特征在于，粒径0.5微米以上且20微米以下的非金属夹杂物为30000个/g以下。
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