[发明专利]具有增强调谐范围的变容二极管无效
| 申请号： | 200980138253.2 | 申请日： | 2009-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102165597A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | A·拉特纳古玛尔;Q·向;J·X·唐 | 申请（专利权）人： | 阿尔特拉公司 |
| 主分类号： | H01L29/93 | 分类号： | H01L29/93 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种变容二极管，其可以具有连接到栅极的第一端子。该栅极可以由p型多晶硅栅极导体形成。该栅极还可以具有由一层绝缘体(例如二氧化硅)形成的栅极绝缘体。该栅极绝缘体位于栅极导体和本体区域之间。源极和漏极接触区域可以形成在硅本体区域中。该本体区域和源极以及漏极可以使用n型掺杂剂掺杂。变容二极管可以具有连接到n型源极和漏极的第二端子。控制电压可以被用来调节由第一端子和第二端子之间的变容二极管所产生的电容水平。正控制电压可以比负控制电压产生更大的电容。应用负控制电压可以在p+多晶硅栅极层中生成耗尽层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 调谐 范围 变容二极管 | ||
【主权项】：
一种变容二极管，其包括：半导体本体；具有p+栅极导体的栅极；以及在本体中与所述p+栅极导体相邻的至少一个n+接触区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿尔特拉公司，未经阿尔特拉公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980138253.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种脚踏超越离合器式轮滑机构
- 下一篇：一种线路板引脚结构
- 同类专利
- 专利分类
