[发明专利]太阳能电池的制造方法以及制造装置无效
| 申请号： | 200980138255.1 | 申请日： | 2009-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102165601A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 山室和弘;汤山纯平;山根克巳 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L31/04 | 分类号： | H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该太阳能电池的制造方法，形成光电转换体(12)，所述光电转换体(12)具有通过划痕线(19)被分区的多个分区单元(21)，彼此相邻的所述分区单元(21)之间被电连接，检测所述分区单元(21)上存在的结构缺陷(A1、A2)，将存在所述结构缺陷(A1、A2)的位置确定为距离数据，所述距离数据表示最接近所述结构缺陷(A1、A2)的所述划痕线(19)与所述结构缺陷(A1、A2)之间的距离，根据所述距离数据，去除存在所述结构缺陷(A1、A2)的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成光电转换体，所述光电转换体具有通过划痕线被分区的多个分区单元，彼此相邻的所述分区单元之间被电连接，检测所述分区单元上存在的结构缺陷，将存在所述结构缺陷的位置确定为距离数据，所述距离数据表示最接近所述结构缺陷的所述划痕线与所述结构缺陷之间的距离，根据所述距离数据，去除存在所述结构缺陷的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
