[发明专利]电极、半导体装置、及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200980138316.4 申请日: 2009-10-06
公开(公告)号: CN102187464A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;佐藤雅;露口士夫 申请(专利权)人: 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社
主分类号: H01L29/43 分类号: H01L29/43;H01L21/285
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本国东京都*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置,它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18),该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14~47原子%的镍元素、5~12原子%的钛元素以及35~74原子%的铝元素,同时,镍元素与钛元素的原子比为1~11。
搜索关键词: 电极 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种具有p型碳化硅半导体区域以及在该p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性电极的半导体装置,其特征在于:所述电阻性电极含有14~47原子%的镍元素、5~12原子%的钛元素、35~74原子%的铝元素,同时,镍元素与钛元素的原子比为1~11。
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