[发明专利]电极、半导体装置、及其制造方法有效
申请号: | 200980138316.4 | 申请日: | 2009-10-06 |
公开(公告)号: | CN102187464A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;佐藤雅;露口士夫 | 申请(专利权)人: | 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L29/43 | 分类号: | H01L29/43;H01L21/285 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置,它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18),该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14~47原子%的镍元素、5~12原子%的钛元素以及35~74原子%的铝元素,同时,镍元素与钛元素的原子比为1~11。 | ||
搜索关键词: | 电极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有p型碳化硅半导体区域以及在该p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性电极的半导体装置,其特征在于:所述电阻性电极含有14~47原子%的镍元素、5~12原子%的钛元素、35~74原子%的铝元素,同时,镍元素与钛元素的原子比为1~11。
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