[发明专利]电极、半导体装置、及其制造方法有效
| 申请号： | 200980138316.4 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102187464A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 岩永健介;横山诚一;桥本英喜;野中贤一;佐藤雅;露口士夫 | 申请（专利权）人： | 本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/43 | 分类号： | H01L29/43;H01L21/285 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有p型碳化硅半导体区域以及在该p型碳化硅半导体区域上以镍层、钛层、铝层的顺序积层形成的电阻性电极的半导体装置，其特征在于：所述电阻性电极含有14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素、35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。
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