[发明专利]在金属衬底上的半导体异质结构中具有应变沟道的功率MOSFET有效
| 申请号： | 200980138320.0 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102165594A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 塔特·恩盖;王琦;乔尔·夏普 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有覆于金属衬底上的异质结构半导体上的应变半导体沟道区的场效应晶体管包括覆于第一金属层上的第一半导体层。第一半导体层具有处于弛豫异质结构中的第一半导体材料和第二半导体材料并且是重度掺杂的。第二半导体层覆于第一半导体层上并具有处于弛豫异质结构中的第一半导体材料和第二半导体材料。第二半导体层比第一半导体层更轻度地掺杂。沟槽延伸至第二半导体层中并且沟道区具有靠近沟槽侧壁的第一半导体材料的应变层。应变沟道区提供增强的载流子迁移率并改善场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 衬底 半导体 结构 具有 应变 沟道 功率 mosfet | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管器件，具有覆于金属衬底上的异质结构半导体上的应变半导体沟道区，包括：第一金属层；第一半导体层，覆于所述第一金属层上，所述第一半导体层具有处于弛豫异质结构中的第一半导体材料和第二半导体材料，所述第一半导体层是重度掺杂的并且特征在于第一导电率；第二半导体层，覆于所述第一半导体层上，所述第二半导体层具有处于弛豫异质结构中的所述第一半导体材料和所述第二半导体材料，所述第二半导体层具有比所述第一导电率低的第二导电率；沟槽，延伸至所述第二半导体层中；沟道区，具有靠近沟槽侧壁的所述第一半导体材料的应变层；第二金属层，覆于所述第二半导体层上，其中，所述沟道区中的导电的特征在于所述应变半导体层中的增强的载流子迁移率。
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