[发明专利]用于存储装置的基于性能因素调节的软数据生成方法装置无效
| 申请号： | 200980138327.2 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102171767A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | E·F·哈拉特什;J·延 | 申请（专利权）人： | LSI公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/34;G11C7/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了基于性能因素调节的用于存储装置的软数据生成的方法和装置。通过如下步骤为存储装置产生至少一个软数据值：获得至少一个读取值；以及基于所获得的至少一个读取值和根据所述存储装置的一个或更多个性能因素的调节来产生软数据值。所述读取值可以包括例如数据比特、电压电平、电流等级、或者电阻等级。读取值可以是软数据或者硬数据。可能的性能因素包括耐久性、读取周期数、保持时间、温度、工艺角、单元间干扰影响、存储器阵列内的位置和侵略者单元图案。还可以考虑一个或更多个取决于图案的性能因素和/或特定于位置的性能因素。所产生的软数据值可以是用于产生一个或更多个对数似然比的软读取值，或者可以是对数似然比本身。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 存储 装置 基于 性能 因素 调节 数据 生成 方法 | ||
【主权项】：
一种产生用于存储装置的至少一个软数据值的方法，包括：获得至少一个读取值；以及基于所获得的至少一个读取值和根据所述存储装置的一个或更多个性能因素的调节来产生所述软数据值。
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