[发明专利]单晶闪烁体材料及其制造方法、放射线检测器和PET装置有效
申请号: | 200980138423.7 | 申请日: | 2009-09-28 |
公开(公告)号: | CN102165107A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 奥田裕之;冈本直之;伊藤进朗 | 申请(专利权)人: | 日立金属株式会社 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C09K11/00;C09K11/08;C09K11/78;G01T1/202 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的单晶闪烁体材料的制造方法包括:在含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂中混合Ce化合物和Lu化合物,在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使上述化合物熔融的工序;和通过对熔融的上述化合物进行冷却,使组成式(CexLu1-x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。 | ||
搜索关键词: | 闪烁 材料 及其 制造 方法 放射线 检测器 pet 装置 | ||
【主权项】:
一种单晶闪烁体材料的制造方法,其特征在于,包括:准备含有选自Li、Na、K、Rb、Cs中的至少1种以上、W和/或Mo、B和氧的熔剂的工序,将Ce化合物和Lu化合物与所述熔剂混合,在800℃以上、1350℃以下的温度中加热而使所述化合物熔融的工序,和通过对熔融的上述化合物进行冷却,使组成式(CexLu1‑x)BO3所示且Ce的组成比例x满足0.0001≤x≤0.05的单晶析出成长的工序。
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