[发明专利]用于对衬底进行化学处理的方法无效
申请号: | 200980138441.5 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102171798A | 公开(公告)日: | 2011-08-31 |
发明(设计)人: | A.特佩;B.舒姆;D.弗兰克;I.施沃特利希;K.瓦斯;W.施密特 | 申请(专利权)人: | 肖特太阳能股份公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/00;H01L31/18 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张涛;李家麟 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种用于通过使起化学作用的加工介质(26)与衬底的至少下侧面接触来对具有下侧面(12)、上侧面(22)和侧面(14、16、18、20)的片状衬底(10)进行化学处理的方法,其中在形成衬底、衬底介质与包围衬底和衬底介质的气氛之间的三重线的同时衬底相对于加工介质运动。为了以化学方式除去尤其是存在于侧面中的缺陷提出:在避免加工介质与衬底的上侧面接触的情况下执行相对运动,其中相对于衬底与加工介质之间的相对运动以所期望的高度在背向加工介质流动侧的侧面处形成三重线。在此可以在存在于加工介质中的成分的分压方面将气氛调节为使得上侧面保留疏水性特性。 | ||
搜索关键词: | 用于 衬底 进行 化学 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种用于通过使起化学作用的液态加工介质(26)与衬底的至少下侧面的接触来对具有下侧面(12)、上侧面(22)和侧面(14,16,18,20)的优选为片状或板状的衬底(10)进行化学处理的方法,其中该衬底在形成衬底、衬底介质与包围衬底和衬底介质的气氛之间的三重线的同时相对于加工介质运动,其特征在于,在避免加工介质与衬底(10)的上侧面(22)接触的情况下执行相对运动;相对于衬底与加工介质(36)之间的相对运动以所期望的高度在背向加工介质流动侧的侧面(14,16,18,20)上形成三重线(42);和/或在存在于加工介质中的成分的分压方面将所述气氛调节为使得上侧面(22)保留疏水性特性或者在上侧面中形成疏水性特性;以及衬底优选地在与加工介质相对运动期间被以这样的程度旋转,即使得三重线在化学处理期间从在上侧面与侧面之间延伸的每个棱边(38)或者在侧面的范围中出发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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