[发明专利]磁存储介质制造方法、磁存储介质、以及信息存储装置无效
| 申请号： | 200980138594.X | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102171757A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 佐藤贤治;田中努;涡卷拓也;西桥勉;森田正;渡边一弘 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/65;G11B5/673 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;王伶 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过不会削弱量产能力的方法来制造具有高记录密度的磁存储介质。通过包括以下步骤的制造方法来制造磁存储介质(10)：磁性膜形成步骤，在基板(61)上形成磁性膜(62)；以及点间分隔步骤，通过将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到磁性膜(62)的除了分别是以磁的方式记录信息的磁性点(62c)的多个区域之外的区域来降低饱和磁化，从而在所述磁性点(62c)之间形成饱和磁化比所述磁性点(62c)的饱和磁化小的分隔区域(62d)。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 介质 制造 方法 以及 信息 装置 | ||
【主权项】：
一种磁存储介质的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步骤：磁性膜形成步骤，在基板上形成磁性膜；以及点间分隔步骤，将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到所述磁性膜的除了要成为磁性点的多个区域以外的其他区域，降低饱和磁化，由此在该磁性点之间形成饱和磁化比该磁性点的饱和磁化小的点间分隔带，其中，所述磁性点分别以磁的方式记录信息。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科，未经株式会社爱发科许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980138594.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
