[发明专利]用于测量片状工件的厚度的方法无效
| 申请号： | 200980139034.6 | 申请日： | 2009-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN102171000A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | I·格罗特科普;J·坎措;J·迈尔 | 申请（专利权）人： | 彼特沃尔特斯有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;G01B11/06;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 董华林 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于测量用作电子元件的基底的片状的工件的厚度的方法，包括下述步骤：将红外辐射定向到工件上侧上，其中第一辐射分量在上侧上反射，而第二辐射分量穿过工件厚度、在工件下侧上反射并再次在工件上侧射出，第一和第二辐射分量在构成干涉图样的情况下发生干涉，借助所述干涉图样确定工件上侧和工件下侧之间的光学的工件厚度。根据本发明设定，在考虑光学的工件厚度的情况下由对由工件反射和/或射出的红外辐射的强度的测量获得机械的工件厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 测量 片状 工件 厚度 方法 | ||
【主权项】：
用于测量片状的工件的厚度的方法，所述工件用作电子元件的基底，该方法包括下述步骤：a)将红外辐射(14)定向到工件上侧(20)上，其中第一辐射分量(22)在工件上侧(20)上反射，而第二辐射分量(24)穿过工件厚度(d)、在工件下侧(26)上反射并又在工件上侧(20)射出，b)所述第一和第二辐射分量(22、24)在形成干涉图样的情况下发生干涉，c)借助所述干涉图样确定工件上侧(20)和工件下侧(26)之间的光学的工件厚度(L)，其特征在于，包括下述步骤：由对由工件(10)反射和/或射出的红外辐射(14)的强度的测量在考虑光学的工件厚度(L)的情况下求得机械的工件厚度(d)。
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