[发明专利]具有独立源漏设计的三栅静态随机存取存储器及由其制成的器件有效
| 申请号： | 200980139208.9 | 申请日： | 2009-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102171813A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | R·皮拉雷西蒂;W·拉奇马迪;B·多伊尔;R·S·仇 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/8244 | 分类号： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李娜;王洪斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种静态随机存取存储器电路包括：至少一个存取器件，其包括通路区域的源和漏部分；至少一个上拉器件；以及至少一个下拉器件，其包括下拉区域的源和漏部分。静态随机存取存储器电路被配置为下拉区域的外部电阻率(Rext)低于通路区域的Rext。获得静态随机存取存储器电路的工艺包括源和漏外延。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 独立 设计 静态 随机存取存储器 制成 器件 | ||
【主权项】：
一种工艺，包括：在半导电衬底的静态随机存取存储器(SRAM)布局中形成鳍形N型和P型扩散区；在该鳍形扩散区上形成通路区域、上拉区域和下拉区域；增强通路区域的源和漏(S/D)部分以及下拉区域的S/D部分中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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