[发明专利]半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法无效
| 申请号： | 200980139378.7 | 申请日： | 2009-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN102171793A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体基板，其是依次包括底板基板、绝缘层、SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的半导体基板，SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的至少一部分区域被退火，所述半导体基板包括在至少一部分区域上与SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体。另外，本发明提供一种电子器件，其包括：衬底、设置于衬底上的绝缘层、设置于绝缘层上至少一部分区域被退火的SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)、在至少一部分区域上与SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体、使用化合物半导体形成的半导体设备。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电子器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体基板，其依次包括底板基板、绝缘层、和SixGe1‑x结晶层，其特征在于，所述SixGe1‑x结晶层的至少一部分区域被退火，所述半导体基板包括在所述至少一部分区域上与所述SixGe1‑x结晶层晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体，其中，0≤x＜1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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