[发明专利]等离子体源和用等离子体增强的化学气相沉积来沉积薄膜涂层的方法有效
| 申请号： | 200980139450.6 | 申请日： | 2009-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102172104A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | P·马诗威茨 | 申请（专利权）人： | 北美AGC平板玻璃公司;旭硝子株式会社;AGC玻璃欧洲公司 |
| 主分类号： | H05H1/00 | 分类号： | H05H1/00;H01L21/469 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国乔*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了对薄膜涂覆技术有用的新颖的等离子体源和使用所述等离子体源的方法。更具体地说，本发明提供了分别产生线性的和二维的等离子体的新颖的线性的和二维的等离子体源，其对增强等离子体的化学气相沉积有用。本发明还提供了生产薄膜涂层的方法和提高所述方法的涂覆效率的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 化学 沉积 薄膜 涂层 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体源，其包括：第一电子发射表面和第二电子发射表面；其中所述电子发射表面电连接到电源上，该电源供应在正和负之间交变的电压；其中所述电子发射表面被气体容纳空间分开；其中供应至第二电子发射表面的电压与供应至第一电子发射表面的电压不同相；其中包含二次电子的电流在所述电子发射表面之间流动；以及其中在所述电子发射表面之间产生等离子体，其中所述等离子体是线性的并且长度为至少大约0.5米，并且被设定为在基本上没有闭路电子漂移的情况下在其长度上基本上均匀。
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