[发明专利]碳酰氟的制造方法有效
| 申请号： | 200980139487.9 | 申请日： | 2009-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN102171138A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 大野博基;大井敏夫;横尾秀次郎 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;B01J23/24;B01J23/75 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供有效、简便且低成本地制造作为半导体用蚀刻气体、半导体用清洁气体而受关注的重要化合物碳酰氟的方法。作为解决本发明课题的方法是，本发明的碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯和氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含上述碳酰氟和上述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 酰氟 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳酰氟的制造方法，其特征在于，包括下述工序：使碳酰氯与氟化氢在氟化催化剂的存在下在气相中进行反应，来生成碳酰氟和氯化氢的工序；以及将包含所述碳酰氟和所述氯化氢的混合物和与氯化氢有共沸关系但与碳酰氟没有共沸关系的有机溶剂进行混合，对它们进行蒸馏来分离出碳酰氟的工序。
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