[发明专利]真空处理装置有效
| 申请号： | 200980139868.7 | 申请日： | 2009-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN102177577A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;石桥晓;浅利伸;斋藤一也;佐藤重光;菊池正志 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;H01L21/203;H01L21/31;H01L21/336;H01L21/683;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供一种真空处理装置，该真空处理装置能够用适合于各工序中的所进行的处理的方式对基板进行支承与运送，能够抑制对处理室(腔)内设置的各种机构产生的不利影响。在CVD室(52)中，有时需要使用特殊的清洗气体而进行清洗，这在CVD室(52)构成为立式的装置的情况下，设置在溅射室(62)中的立式处理装置所特有的支承机构与传送机构会受到特殊气体的腐蚀。而在本发明中，CVD室(52)由卧式的装置构成，因而不会产生这样的问题。另外，通过将溅射装置构成为立式的处理装置，从而能够解决异常放电的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种真空处理装置，其特征在于，包括：能够维持真空状态且在使基片被置于水平的状态下对该基片进行处理的卧式处理单元；能够维持真空状态且在使所述基片被置于竖立的状态下对该基片进行处理的立式处理单元；能够维持真空状态且与所述卧式处理单元与所述立式处理单元连接、用于变换所述基片的状态的变换室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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