[发明专利]用于外延剥离的台面蚀刻方法和组成无效
| 申请号： | 200980140141.0 | 申请日： | 2009-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102177572A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 美利莎·艾契尔 | 申请（专利权）人： | 奥塔装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 李冬梅;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施方式一般涉及台面蚀刻溶液的组成和用于在外延剥离(ELO)过程期间的晶片上的台面蚀刻材料的方法。晶片通常包含布置在其上的蚀刻停止层和布置在蚀刻停止层的叠层外延材料。在一个实施方式中，蚀刻工艺包括将晶片暴露给非选择性蚀刻溶液，而且随后将晶片暴露给选择性蚀刻溶液，同时从晶片上剥落叠层外延材料。选择性蚀刻溶液可包含琥珀酸、氢氧化铵化合物以及诸如过氧化氢的氧化剂。选择性蚀刻溶液可具有约600、约1000、约1400或更大的GaAs/AlAs选择性。非选择性蚀刻溶液可以是包含硫酸和过氧化氢的水溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 剥离 台面 蚀刻 方法 组成 | ||
【主权项】：
一种用于在外延剥离过程期间形成薄膜材料的方法，包括：在选择性蚀刻过程期间，将基底暴露给包括琥珀酸的选择性蚀刻溶液，其中所述基底包括布置在叠层外延材料上的支持柄，所述叠层外延材料布置在蚀刻停止层上，所述蚀刻停止层布置在所述基底上；以及将所述叠层外延材料从所述基底上剥落。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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