[发明专利]用于去除铜的氧化物蚀刻残余物和防止铜电沉积的含水酸性制剂有效
| 申请号： | 200980140203.8 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102177230A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 格伦.韦斯特伍德;洪性辰;金相仁 | 申请（专利权）人： | 安万托特性材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C11D1/72 | 分类号： | C11D1/72;C11D3/02;C11D3/30;C11D3/33;C11D7/08;C11D7/32;C11D11/00;G03F7/42;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 曹立莉 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用于从Cu-双大马士革微电子结构去除铜的氧化物蚀刻残余物的高含水酸性清洁组合物，且其中该组合物防止或基本消除铜在Cu-双大马士革微电子结构上再沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 去除 氧化物 蚀刻 残余物 防止 沉积 含水 酸性 制剂 | ||
【主权项】：
用于清洁Cu‑双大马士革微电子结构的含水酸性清洁组合物，该组合物包含以下的制剂：(a)约68.45％至约98.95％水；(b)约0.3％至约8％重量的至少一种烷醇胺或氨基苯酚；(c)约0.1％至约2％的至少一种金属螯合剂；(d)约0.05％至约1.6％的至少一种四烷基氟化铵；(e)约0.1％至约5％的氟化氢；和(f)任选从大于0％至约15％的至少一种非离子表面活性剂，其包含环氧乙烷链或环氧乙烷/乙二醇链；其中该百分比为基于制剂总重量的重量百分比，且该组合物具有的pH为约4至约5.5。
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