[发明专利]具有刻面硅化物接触的半导体器件和相关制造方法有效
| 申请号： | 200980141102.2 | 申请日： | 2009-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN102177573A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 法兰克·斌·杨;罗希特·波尔;迈克尔·哈格罗夫 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/417;H01L29/04;H01L21/8238;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 所披露的主题涉及半导体晶体管器件和相关制造技术，其能够用于形成具有相对于传统硅化物接触(contact)更大的有效尺寸的硅化物接触。根据本文披露的工艺制造的半导体器件(200)包括半导体材料(102)的层和覆盖于该半导体材料(102)的层上的栅极结构(112，128)。沟道区(218)形成于半导体材料(102)的层中，该沟道区(218)在该栅极结构(112，128)下。半导体器件(200)还包括在半导体材料(102)的层中的源极区和漏极区(216)，其中该沟道区(218)位于该源极和漏极区(216)之间。而且，半导体器件(200)包括覆盖该源极区和漏极区(216)的刻面形硅化物接触区域(210，308，406)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 刻面硅化物 接触 半导体器件 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件(200，300)的方法，所述方法包含：提供具有半导体材料(102)的层的衬底(100)；建造覆盖所述半导体材料(102)的层的栅极结构(112，128)；毗邻所述栅极结构(112，128)在所述半导体材料(102)的层中形成缺口(202)；以及用填充剂半导体材料(205，302)至少部分填充所述缺口(202)，以在所述缺口(202)中形成刻面形半导体区域(206，304)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于超威半导体公司，未经超威半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980141102.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
