[发明专利]使用化学气相沉积钝化的硅蚀刻有效
| 申请号： | 200980141317.4 | 申请日： | 2009-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102187437A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 雅罗斯瓦夫·W·温尼克泽克;罗伯特·P·谢比 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用蚀刻室通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻该硅层。在所述蚀刻室中提供含氟(F)蚀刻气体和含硅(Si)化学气相沉积气体。所述含氟(F)蚀刻气体用于蚀刻特征到所述硅层，所述含硅(Si)化学气相沉积气体用于在所述特征的侧壁上形成含硅沉积层。由所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体产生等离子体，并提供偏压。使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层，在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含硅钝化层。所述钝化层中的硅主要来自所述化学气相沉积气体。然后停止所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 化学 沉积 钝化 蚀刻 | ||
【主权项】：
使用蚀刻室通过在硅层上形成的图案化掩模蚀刻所述硅层的方法，所述蚀刻室中放置有所述硅层，所述方法包括：提供含氟(F)蚀刻气体以蚀刻特征到所述硅层以及含硅(Si)化学气相沉积气体以在所述特征的侧壁上形成含硅沉积层；由所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体产生等离子体；提供偏压；使用所述等离子体蚀刻特征到所述硅层；在蚀刻的所述特征的侧壁上沉积含硅钝化层，其中所述钝化层中的硅主要来自所述化学气相沉积气体；以及停止所述蚀刻气体和所述化学气相沉积气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
