[发明专利]晶体生长装置及晶体生长方法无效
| 申请号： | 200980141358.3 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102187018A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 堀冈佑吉 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料技术株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;车文 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供使石英坩埚的较长期使用成为可能而且能够改善工作效率的晶体生长装置及晶体生长方法。本发明的晶体生长装置包括具有石英坩埚的晶体生长炉、原料熔融炉、从所述原料熔融炉向所述石英坩埚重复供给熔融原料的供给单元。所述晶体生长炉具有供给所述熔融原料的供给口，所述供给口也可以相对于所述原料熔融炉连接分离自如。另外，在所述原料熔融炉的周围也可以配置有多个所述晶体生长炉。并且，所述原料熔融炉也可以具有不熔解物质分离单元。另外，本发明的晶体生长方法中向石英坩埚填充预先熔化的熔融原料。在本发明的晶体生长方法中，也可以在所述填充之前从所述熔融原料除去不熔解物质。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体生长装置，其特征在于，包括具有石英坩埚的晶体生长炉、原料熔融炉及从所述原料熔融炉向所述石英坩埚重复供给熔融原料的供给单元。
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