[发明专利]等离子体处理装置中的快速响应热控制的方法和设备有效
| 申请号： | 200980141419.6 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102187742A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张春雷;理查德·弗威尔;伊兹拉·罗伯特·高德;阿吉特·巴拉克利斯纳;詹姆斯·P·克鲁斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H05H1/34 | 分类号： | H05H1/34;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了等离子体处理装置中的快速响应热控制的方法和设备。这里提供了用于调节等离子体增强型制程腔室中的部件的温度的方法及设备。在一些实施例中，一种用于处理衬底的设备包括制程腔室以及用以提供RF能量以在该制程腔室中形成等离子体的RF源。部件设置于该制程腔室中以在形成该等离子体时由该等离子体加热。加热器被构造为加热该部件并且热交换器被构造为从该部件移除热量。冷却器经由具有设置于其中的打开/关闭流量控制阀的第一流动管道以及用来绕过该流量控制阀的旁路回路而耦接到该热交换器，其中该旁路回路具有设置于其中的流量比阀。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 中的 快速 响应 控制 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种用于处理衬底的设备，其包括：制程腔室；RF源，其用于提供RF能量以在所述制程腔室中形成等离子体；部件，其设置在所述制程腔室中以在形成所述等离子体时由所述等离子体加热；加热器，其被构造为对所述部件进行加热；热交换器，其被构造为从所述部件移除热量；以及冷却器，其经由具有设置于其中的打开/关闭流量控制阀的第一流动管道以及绕过所述流量控制阀的旁路回路而耦接到所述热交换器，其中所述旁路回路具有设置于其中的流量比阀。
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