[发明专利]半导体器件和这种器件的制造方法有效
| 申请号： | 200980141586.0 | 申请日： | 2009-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN102187466A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 简·雄斯基;安科·黑林格 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种半导体器件，例如MOSFET(1)，包括衬底(40)，所述衬底包括：第一区域(18)和第一导电类型的第二区域(16)，以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的、与第一导电类型相反类型的第三区域(42)，所述第三区域由电介质层(20)覆盖，所述衬底(40)还包括在所述第三区域(42)和所述第二区域(16)之间横向延伸的多个沟槽(12)，所述沟槽填充有绝缘材料并且通过有源条带(14)间隔开，所述有源条带包括具有深度不超过所述沟槽深度的掺杂分布，其中每一个沟槽在到达所述电介质层(20)之前终止，即通过衬底部分(26)与所述第三区域间隔开，使得所述衬底部分和所述沟槽之间的各个边界没有由所述电介质层覆盖。也公开了一种制造这种半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 这种 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括衬底(40)，所述衬底包括：掺杂有第一导电类型掺杂剂的第一区域(18)和第二区域(16)，以及位于所述第一掺杂区域和所述第二掺杂区域之间的、掺杂有与第一导电类型相反导电类型掺杂剂的第三区域(42)，所述第三区域由电介质层(20)覆盖，所述衬底(40)还包括在所述第三区域(42)和所述第二区域(16)之间横向延伸的多个沟槽(12)，所述沟槽填充有绝缘材料并且具有预定深度，并且通过有源条带(14)间隔开，所述有源条带包括深度不超过所述预定深度的掺杂分布，其中每一个沟槽(12)通过衬底部分(26)与所述第三区域(42)间隔开，使得所述衬底部分(26)和所述沟槽(12)之间的各个边界没有由所述电介质层(20)覆盖。
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