[发明专利]用于研磨氮化硅的组合物以及使用所述组合物控制选择比的方法在审
| 申请号： | 200980141605.X | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102187434A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 田中利香 | 申请（专利权）人： | 霓达哈斯股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 王达佐;阴亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的用于研磨氮化硅的组合物，其包含硅胶、包含磷酸化合物和硫酸化合物的研磨助剂。通过进一步包含氧化剂来控制代表金属膜的研磨速度与氮化硅膜的研磨速度之比的第一选择比以及代表氧化物绝缘膜的研磨速度与氮化硅膜的研磨速度之比的第二选择比。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 研磨 氮化 组合 以及 使用 控制 选择 方法 | ||
【主权项】：
用于研磨氮化硅的组合物，其包含：1)硅胶；以及2)由磷酸化合物和硫酸化合物组成的研磨助剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霓达哈斯股份有限公司，未经霓达哈斯股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980141605.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用预测建模和信令来节省功率
- 下一篇：一种尼龙橙色活性染料及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
