[发明专利]光电子半导体器件有效
| 申请号： | 200980141726.4 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102187484A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 马丁·斯特拉斯伯格;卢茨·赫佩尔;马蒂亚斯·彼得;乌尔里克·策恩德;泷哲也;安德烈亚斯·莱贝尔;赖纳·布滕戴奇;托马斯·鲍尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)。p掺杂区域(8)包括InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1。p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体器件，其具有基于氮化物半导体的半导体层序列(3)，该半导体层序列包括n掺杂区域(4)、p掺杂区域(8)和设置在n掺杂区域(4)和p掺杂区域(8)之间的有源区(5)，其中p掺杂区域(8)包括InxAlyGa1‑x‑yN构成的p接触层(7)，其中0≤x≤1，0≤y≤1且x+y≤1，该p接触层与金属、金属合金或者透明导电氧化物构成的连接层(9)邻接，其中p接触层(7)在朝着连接层(9)的界面上具有带Ga面取向的第一晶畴(1)以及带N面取向的第二晶畴(2)。
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