[发明专利]CVD前体

摘要

一种通过热聚合反应性气体混合物二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气体而生产含硅薄膜的方法。沉积的薄膜可以是氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅或碳掺杂二氧化硅。这些薄膜适用于作为半导体器件中的介电层，钝化涂层，防护涂层，隔板，衬里和/或应激体。

主权项

一种在基底上生产含硅薄膜的方法，所述方法包括热聚合反应性气体混合物，所述气体混合物包括二氨基硅杂环丁烷和选自供氮气体、供氧气体及其混合物的源气。