[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法无效
| 申请号： | 200980141871.2 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN105405768A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;胡诗犇;姚日晖;彭俊彪;王磊;徐苗;邹建华;陶洪;兰林锋;黄福祥 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/417;H01L21/324 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法，属于薄膜晶体管技术领域。该制备方法包括如下步骤，在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，然后进行前退火处理，再直流磁控溅射铜铬合金电极作为源漏电极，最后进行后退火处理，得到成品薄膜晶体管；所述前退火处理是在空气气氛中进行前退火，前退火温度为100～500℃，前退火时间为1～120min；以重量百分比计，所述铜铬合金电极中铬元素的含量范围为0.4％～10％；所述后退火处理是在氩气气氛中进行后退火，后退火温度为100～500℃，后退火时间为1～120min。本发明能够克服铜氧化、抑制铜扩散、避免电极脱落及易刻蚀的特点，其所构成的薄膜晶体管具有性能良好的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：在衬底上依次制备栅极、栅极绝缘层和有源层，然后进行前退火处理，再直流磁控溅射铜铬合金电极作为源漏电极，最后进行后退火处理，得到成品薄膜晶体管；以重量百分比计，所述铜铬合金电极中铬元素的含量范围为0.4％～10％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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