[发明专利]绝缘栅双极性晶体管、以及绝缘栅双极性晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种即使产生杂质浓度的制造误差，通态电压也不易产生误差的绝缘栅双极性晶体管及绝缘栅双极性晶体管的制造方法。一种在第2导电型的体区内形成有第1导电型的浮置区的垂直型绝缘栅双极性晶体管，其中，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其上侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在浮置区与其下侧的体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。

主权项

一种垂直型的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，具备：第1导电型的发射区；第2导电型的体区，其相对于所述发射区在较深的位置处邻接于所述发射区；第1导电型的漂移区，其相对于所述体区在较深的位置处邻接于所述体区，并通过所述体区而与所述发射区分离；第2导电型的集电区，其相对于所述漂移区在较深的位置处邻接于所述漂移区，并通过所述漂移区而与所述体区分离；第1导电型的浮置区，其被形成于所述体区内，并通过所述体区而与所述发射区以及所述漂移区分离；栅电极，其隔着绝缘膜而与将所述发射区和所述漂移区分离的范围内的所述体区对置，其中，在所述浮置区与其上侧的所述体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布，在所述浮置区与其下侧的所述体区之间的边界部附近的第1导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在所述浮置区与其上侧的所述体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于下降的方式分布，在所述浮置区与其下侧的所述体区之间的边界部附近的第2导电型杂质浓度，以从上侧到下侧趋于上升的方式分布。