[发明专利]具有高纵横比的单色光源无效
| 申请号： | 200980142460.5 | 申请日： | 2009-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN102197500A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托德·A·巴伦 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/50;H01L33/10 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了发光系统。所述发光系统包括发射第一波长的光的LED。所述发射的第一波长的光的主要部分从所述LED的最小横向尺寸为Wmin的顶部表面离开所述LED。所述发射的第一波长的光的其余部分从所述LED的最大边缘厚度为Tmax的一个或多个侧面(122、124)离开所述LED。所述Wmin/Tmax之比为至少30。所述发光系统还包括具有半导体势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收从所述顶部表面离开所述LED的所述第一波长的光，并且将所述接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纵横 单色 光源 | ||
【主权项】：
一种发光系统，包括：LED，所述LED发射第一波长的光，所发射的第一波长的光的主要部分从所述LED的最小横向尺寸为Wmin的顶部表面离开所述LED，所发射的第一波长的光的其余部分从所述LED的最大边缘厚度为Tmax的一个或多个侧面离开所述LED，Wmin/Tmax之比为至少30；和再发射半导体构造，所述再发射半导体构造具有半导体势阱，并接收从所述顶部表面离开所述LED的所述第一波长的光，并且将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发光强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发光强度的至少4倍。
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