[发明专利]异质LIGA 方法有效
申请号: | 200980142873.3 | 申请日: | 2009-10-07 |
公开(公告)号: | CN102197165A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | G·雷-梅尔梅特 | 申请(专利权)人: | 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司 |
主分类号: | C25D1/00 | 分类号: | C25D1/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 柴智敏;吴鹏 |
地址: | 瑞士勒*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 本发明涉及制造金属显微结构的方法,该方法包括以下步骤:a)提供具有导电打底表面(2)的衬底(1、2);b)-d)通过UV光刻法形成第一树脂模型(3b),第一树脂模型中的开口露出衬底的导电打底表面(2);e)通过在第一树脂模型(3b)的开口中电沉积第一金属材料来电铸第一元件(5);f)除去第一元件(5)周围的第一模型(3b)以便露出衬底的导电打底表面(2);g)-i)通过UV光刻法形成新的树脂模型(7b),新树脂模型中的开口露出第一元件(5)及衬底的导电打底表面(2);j)通过在新树脂模型(7b)的开口中电沉积第二金属材料来电铸第二元件(10)以便形成所述金属显微结构;k)使所述金属显微结构与衬底(1)和所述新模型(7b)分离。 | ||
搜索关键词: | 异质 liga 方法 | ||
【主权项】:
制造金属显微结构的方法,该金属显微结构至少包括用第一金属材料制成的第一元件(5),该第一元件插入由第二金属材料制成的第二元件(10)中,其特征在于,所述方法包括以下步骤:a)提供具有导电打底表面(2)的衬底(1、2);b)‑d)通过UV光刻法形成第一树脂模型(3b),该第一树脂模型中的开口显露出衬底的导电打底表面(2);e)通过在第一树脂模型(3b)的开口中电沉积第一金属材料来电铸第一元件(5);f)除去第一元件(5)周围的第一模型(3b)以便露出衬底的导电打底表面(2);g)‑i)通过UV光刻法形成新的树脂模型,在新树脂模型(7b)中的开口显露出第一元件(5)和衬底的导电打底表面(2);j)通过在新树脂模型(7b)的开口中电沉积第二金属材料来电铸第二元件(10),以便形成所述金属显微结构;k)使所述金属显微结构与衬底(1)和所述新模型(7b)分离。
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