[发明专利]太阳能电池的制造方法、蚀刻装置和CVD装置无效

专利信息
申请号: 200980142934.6 申请日: 2009-10-27
公开(公告)号: CN102203962A 公开(公告)日: 2011-09-28
发明(设计)人: 高桥明久;石桥晓;浮岛祯之;松原将英;冈部哲 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 陈万青;王珍仙
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明中的太阳能电池的制造方法为形成ZnO的透明导电膜作为光入射侧的功率提取电极的太阳能电池的制造方法,该制造方法至少依次具备:施加溅射电压,使由所述透明导电膜的成膜材料形成的靶溅射,在基板上形成所述透明导电膜的工序A;在所述透明导电膜的表面形成纹理的工序B;使用UV/臭氧对形成有所述纹理的所述透明导电膜的表面进行洗涤的工序C;和在所述透明导电膜上形成发电层的工序D。
搜索关键词: 太阳能电池 制造 方法 蚀刻 装置 cvd
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,形成ZnO的透明导电膜作为光入射侧的功率提取电极,其特征在于,该制造方法至少依次具备:工序A,施加溅射电压,使由所述透明导电膜的成膜材料形成的靶溅射,在基板上形成所述透明导电膜;工序B,在所述透明导电膜的表面形成纹理;工序C,使用UV/臭氧对形成有所述纹理的所述透明导电膜的表面进行洗涤;和工序D,在所述透明导电膜上形成发电层。
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