[发明专利]具有光阻挡元件的光源无效
| 申请号： | 200980142939.9 | 申请日： | 2009-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN102203970A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 凯瑟琳·A·莱瑟达勒;迈克尔·A·哈斯;托德·A·巴伦;托马斯·J·米勒 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 梁晓广;关兆辉 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了发光系统。所述发光系统包括电致发光装置，所述电致发光装置从其顶部表面发射第一波长的光。所述发光系统还包括邻近电致发光装置的侧面的构造，所述构造用于阻挡否则会离开侧面的第一波长的光。所述发光系统还包括含有II-VI势阱的再发射半导体构造。所述再发射半导体构造接收离开所述电致发光装置的所述第一波长的光并且将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光。离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发射强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发射强度的至少4倍。 | ||
| 搜索关键词： | 有光 阻挡 元件 光源 | ||
【主权项】：
一种发光系统，包括：电致发光装置，从所述电致发光装置的顶部表面发射第一波长的光；邻近所述电致发光装置的侧面的构造，所述构造用于阻挡否则会离开所述侧面的第一波长的光；和再发射半导体构造，包括II‑VI势阱，并且接收离开所述电致发光装置的所述第一波长的光并将所接收的光的至少一部分转换为第二波长的光，其中离开所述发光系统的所述第二波长的所有光的整体发射强度为离开所述发光系统的所述第一波长的所有光的整体发射强度的至少4倍。
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