[发明专利]双栅极场效应晶体管和生产双栅极场效应晶体管的方法

摘要

本发明涉及一种双栅极场效应晶体管(1)，包括第一和第二电介质层(6，7)、第一和第二栅电极(9，11)以及由至少一个源电极(3)、至少一个漏电极(4)和至少一个有机半导体(5)构成的组件(2)，其中所述源电极(3)和所述漏电极(4)与所述半导体(5)接触，所述组件(2)位于所述第一电介质层(6)和所述第二电介质层(7)之间，所述第一电介质层(6)位于所述第一栅电极(9)和所述组件(2)的第一侧(8)之间，并且所述第二电介质层(7)位于所述第二栅电极(11)和所述组件(2)的第二侧(10)之间，其中所述有机半导体(5)为有机双极性传导半导体(12)，其在所述组件(2)的第一侧(8)实现至少一个电子注入区域(18)并在所述组件(2)的第二侧(19)实现至少一个空穴注入区域(18)。本发明还包括具有至少一个场效应晶体管的对应的光发射装置、对应的传感器系统和对应的存储装置以及生产对应的双栅极场效应晶体管的方法。

主权项

一种双栅极场效应晶体管(1)，包括第一和第二电介质层(6，7)、第一和第二栅电极(9，11)以及由至少一个源电极(3)，至少一个漏电极(4)和至少一个有机半导体(5)构成的组件(2)，其中‑所述源电极(3)和所述漏电极(4)与所述半导体(5)接触，‑所述组件(2)位于所述第一电介质层(6)和所述第二电介质层(7)之间，‑所述第一电介质层(6)位于所述第一栅电极(9)和所述组件(2)的第一侧(8)之间，并且‑所述第二电介质层(7)位于所述第二栅电极(11)和所述组件(2)的第二侧(10)之间，其特征在于所述有机半导体(5)是有机双极性传导半导体(12)，其在所述组件(2)的第一侧(8)实现至少一个电子注入区域(18)并在所述组件(2)的第二侧(19)实现至少一个空穴注入区域(18)。