[发明专利]离子注入装置有效
| 申请号： | 200980143329.0 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102203856A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 西桥勉;渡边一弘;森田正;佐藤贤治;田中努;涡卷拓也 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;H01J37/317 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 装置 | ||
【主权项】：
一种离子注入装置，具有：真空槽；离子照射装置，向所述真空槽内部照射离子；基板架，在所述真空槽内部的照射离子的照射范围内保持处理对象物；测定对象物，配置在所述真空槽内部的所述照射范围内；以及温度测定装置，测定所述测定对象物的温度。
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